晶体管元件查询
型号：2N6796
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.195 Ω
封装：TO-39
更多N沟道场效应管IXTP50N25TFMH23N50ESVG076R5ND2SK3142MDU1517IXTH30N25STF11N65M2FLM0910-2IRFP4410ZPbFSGB600N70W3IRF340AUIRF1324L7N70IRH1502SK68