晶体管元件查询
型号：STF11N65M2
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.68 Ω
总耗散功率（Ptot）：25 W
封装：TO-220FP
更多N沟道场效应管FLM6472-25DIRF630MJCS5N50VT2SK1917MIXTH11N90IRFD221STP6N95K5H5N3008P2SK1180STP14NK50ZFPFQB16N15FLR024XP/XVRJK2511DPKSVF2N60RQK0301FGDQS