晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HYG011N04LS1C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】165 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0014 Ω
封装：DFN5X6-8L

更多N沟道场效应管2SK34192SK2700IRFBE20OR80H12SGW420N80W32SK793MGF1423FS70UM-06H5N5006LMIRFSZ44MGFC39V37422N4416IRFK2D4502SK39112SK423

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者