晶体管元件查询
型号:SGD660N60W3
类型:N沟道场效应管
漏极电流(ID):6 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.66 Ω
封装:TO-252

更多N沟道场效应管STD65NF06TK8A60DASTB10NK60Z-1SSP7N60BBB503CSGB360N65W3IRF1312IRFP470IRF630MLNH10R180IRF645IPB019N08N3SSP6N80AMGFX38V0005FTW20N60A
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