晶体管元件查询
型号：IRF645
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：13 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管BUK7M15-40H(71540H)SLF13N50AFHS120N7F6ASSP7N60BDHE180N10IPA60R280P6(6R280P6)IXFH1N100MDP10N027TH24N50HSSH10N80FCPF16N60NTSTP4N90K5IRC634FDPF8N50NZ2SK3473