晶体管元件查询
型号：IXFR30N50Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】29 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】29 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.16 Ω
封装：ISOPLUS247
更多N沟道场效应管IPB60R099C6(6R099C6)HY4004BNE42184AMGF2117TK6A60DSWP8N65DHY5608AIRFSZ32MDP1932RJK1536DPE2SK2940SIRF521FS30KMJ-2FS10AS-2SGT650N80W3