晶体管元件查询
型号：MDP1932
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：209 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】175 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】175 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0034 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管NTMFS5C628NL(5C628L)DHI150N10RF1S70N03SMH5N2508DLSKD503TCM60N03CIRF520IRFB3207PbFJCS7N65SBFTA08N60CSGT360N60W3Si7852DPIRFU120NFLM3742-8B/DFLR014XP