晶体管元件查询
型号：IPB039N10N3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0039 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】214 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】214 W
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管2SK1350FSW20N50CIXTH5N1002SK3930SSP5N70IRFP2438N100IXFH10N65LSD65R930GTRJK2009DPMFHP65R420AOSG65R380FEFLC151WF2N6757BUZ380