晶体管元件查询
型号：8N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管H5N5006DLFDPF12N50NCM150N032SK555SSF10N60AHFP10N60UFLM5359-4BTK4A60DASUD35N05-26LJCS8N60F2SK267480N07RJK6020DPKCS64N90H7N1009MD