晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG4D
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅

更多NPN三极管2N7533DG111D3DX1063DG8C3DG111E3DG9BBC182BP3DX4DBC184BP3DG111F3CG1DBSS383DG5E3DG111MAD813

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者