晶体管元件查询
型号：3DG8C
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：35 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG110B3CG1FSE6002BCP1073DG4053DG161BBCP1473DG4C3DG9DSCA453DG4143DG62C2N35663DG5B3DG110A