晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG111M
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.5 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.5 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅

更多NPN三极管3DG4113DG161L2N2432A3DG161JSCA443DG8D2SC1890CX904BC239PCM3DX4A3CG1DBCP108RN12043DG5C3DG5A

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