晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG1B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：25 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：50 μA
特征频率（fT）：90 MHz
直流放大系数（hFE）：≥9
芯片材质：硅

更多NPN三极管2N543CDQ100192N479CDQ100172N3933MMCM2369MMBR9202SC23772N42933DK2B2SD601AR3DG12SC3265Y2SC536CDQ10022

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