晶体管元件查询
型号：3DK2B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.3 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：30 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：20 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.1 A】0.35 V
【集电极电流（Ic）＝0.1 A】0.35 V
特征频率（fT）：200 MHz
直流放大系数（hFE）：25~180
芯片材质：硅
封装：B-1
更多NPN三极管2N3663JAN2N28572N3689CDQ100212N42933BX81B2N479CDQ100203DK13CCDQ100199018LT1(J8)CDQ100352N36922N3856AMMCM2222