晶體管元件查詢
型號：3DK2B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.3 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：30 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：20 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.1 A】0.35 V
【集電極電流（Ic）=0.1 A】0.35 V
特徵頻率（fT）：200 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
晶片材質：硅
封裝：B-1
更多NPN三極體CDQ10019CDQ100272N38773DK62B2SC2377CDQ100212N27143DK2DMMBR51799018LT1(J8)CDQ10023SE10012N49672SC13932SC454