トランジスタ素子クエリ

電圧 V  電流 A
部品番号:3DG1B
種類:NPNバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失(PCM):0.2 W
コレクタの最大許容電流(ICM):0.02 A
コレクタ・エミッタ間降伏電圧(BVCEO):25 V
コレクターしゃ断電流(ICBO):50 μA
トランジション周波数(fT):90 MHz
直流電流増幅率(hFE):≥9
チップ材料:シリコン

その他のNPNバイポーラートランジスター3DK13ACDQ100352N3900CDQ100243DK62C2N42932N33943BX81M3DK2B2N3564MMCM24842SC458D9018LT1(J8)2N5422N3478

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