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型號：BC639
類型：NPN三極體
總耗散功率（Ptot）：
【管殼溫度（Tc）=25 ℃】0.8 W
【管殼溫度（Tc）=25 ℃】0.8 W
集電極電流（IC）：1 A
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：80 V
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：80 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：80 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：5 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.5 A】0.5 V
【集電極電流（Ic）=0.5 A】0.5 V
特徵頻率（fT）：100 MHz
直流放大係數（hFE）：40~160
晶片材質：硅
封裝：TO-92
更多NPN三極體2SC32062SC22302SC1627C2230BSX59BC375BFR362N18932N1711BFR39BSX322N16133DD45182N2219ABF259