晶體管元件查詢
型號：3DK2C
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.3 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：20 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：15 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.1 A】0.35 V
【集電極電流（Ic）=0.1 A】0.35 V
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
晶片材質：硅
封裝：B-1
更多NPN三極體3BX81B9018LT1(J8)2SC717CDQ10023MMCM2484MMCM9302N39333DK2DBSR13R3BX2BCDQ10024CDQ100163DK13A2SC752G2N3689