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型號：3DG8D
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：50 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：45 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：≥30
晶片材質：硅
更多NPN三極體BC109CP3DG161H2SC5383DG406BC108BP2N7093DG5BBC183CP3DX4H3DG44E2SC18903DG110BSCA443DK7A3DG112A