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型號：3DG183B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.7 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.1 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：350 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：350 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：5 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：2 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.1 A】1 V
【集電極電流（Ic）=0.1 A】1 V
特徵頻率（fT）：50 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
封裝：B-4
更多NPN三極體3DK104C3DK64B3DK9E3DG180I3DX203B3DG87E3DK106BCS2E3DG130B3DG183E3DG183C3DK100B3DK4C3DG182J3DG27A