晶體管元件查詢
型號：3DK106B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.7 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.6 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：60 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：45 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.5 A】0.5 V
【集電極電流（Ic）=0.5 A】0.5 V
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
晶片材質：硅
更多NPN三極體3DG180C3DK105AXG106A3DG180I3DX203B3DG27A3DG182D3DG180K3DG87A3DG180M3DG181H3DK4B3DK26A3DG182AFBR14C