晶體管元件查詢

電壓 V  電流 A
型號:3DG181B
類型:NPN三極體
集電極最大耗散功率(PCM):0.7 W
集電極最大允許電流(ICM):0.2 A
集電極與基極反向擊穿電壓(BVCBO):100 V
集電極與發射極反向擊穿電壓(BVCEO):100 V
發射極與基極反向擊穿電壓(BVEBO):5 V
集電極與基極反向漏電流(ICBO):1 μA
集電極與發射極反向漏電流(ICEO):2 μA
發射極與基極反向漏電流(IEBO):1 μA
集電極與發射極飽和電壓(VCE(sat)):
【集電極電流(Ic)=0.05 A】
0.8 V
特徵頻率(fT):50 MHz
直流放大係數(hFE):25~180
封裝:B-4

更多NPN三極體3DG87D3DG130A3DK105A3DK106B3DG12A3DG143C3DG27DFBR14C3DK9ECS2B3DK9A3DK9F3DK64D3DK9B3DG180J

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