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電壓 V  電流 A
型號:3DG111C
類型:NPN三極體
集電極最大耗散功率(PCM):0.3 W
集電極最大允許電流(ICM):0.05 A
集電極與基極反向漏電流(ICBO):0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流(ICEO):0.1 μA
特徵頻率(fT):150 MHz
直流放大係數(hFE):≥30
晶片材質:

更多NPN三極體3DG44C3DG4B3DG44DBFY19A3DG8B3DG4A2N35663DG112B3DG32B3DX201BBC107BP2N2432A2SC538A3DK103A3DG161K

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