晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG10E
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.5 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：20 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
特徵頻率（fT）：300 MHz
直流放大係數（hFE）：25~270
封裝：B-4

更多NPN三極體BT2483TCT14643DG0543DA373DG053CDQ100042N2645BT3227T3BX8ABT2369AT2N956BT708T3DK8F3DG120A3DG5F

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