晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG10B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.5 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：20 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：25~270
封裝：B-4

更多NPN三極體BC550CPJAN2N2222CT14643DG5FBT2708TBC547BP3DG10D3DG10E3DG0543BX8CBT2369A3DG10C2N2222BT2604TBT2604

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