晶體管元件查詢
型號：3CG111B
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：-0.05 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：-30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：-4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：-0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：-0.1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：-0.1 μA
特徵頻率（fT）：200 MHz
直流放大係數（hFE）：25~270
晶片材質：硅
更多PNP三極體3CG4D2N7273CG110CBC214BP2N3638ACX9543CG110B3AK37A3CX201EBC308PAL3AG87B2N4209BC214CP3CG21GBCP159