トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG111B
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.05 A
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：-30 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-0.1 μA
エミッターしゃ断電流（IEBO）：-0.1 μA
トランジション周波数（fT）：200 MHz
直流電流増幅率（hFE）：25~270
チップ材料：シリコン
その他のPNPバイポーラートランジスター3CG21FBCP1583CG2B2N1124BC178PCL3AG87A3CK2ACX954BCP1573CG74AJAN2N331BC308PCLJAN2N1142ASY48BC308PAL