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型號：3CG100C
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集電極最大允許電流（ICM）：-0.03 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：-40 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：-4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：-0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：-0.1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：-0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=-0.01 A】-0.3 V
【集電極電流（Ic）=-0.01 A】-0.3 V
特徵頻率（fT）：100 MHz
直流放大係數（hFE）：25~270
晶片材質：硅
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