トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG100C
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.1 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.03 A
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：-40 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-0.1 μA
エミッターしゃ断電流（IEBO）：-0.1 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝-0.01 A】-0.3 V
【コレクタ電流（Ic）＝-0.01 A】-0.3 V
トランジション周波数（fT）：100 MHz
直流電流増幅率（hFE）：25~270
チップ材料：シリコン
その他のPNPバイポーラートランジスター2N188AF1852N328A3AG31A3AG54C3AG983CG14D3CG101BPADT-283CG100BPADT-293CG100A3AG41H3CG101C2SA608