晶體管元件查詢
型號：2SB481
類型：PNP三極體
總耗散功率（Ptot）：
【環境溫度（Ta）=25 ℃】6 W
【環境溫度（Ta）=25 ℃】6 W
集電極電流（IC）：-1 A
集電極最大允許電流（ICM）：-3 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：-32 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：-32 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：-10 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：-1000 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=-1 A】-0.08 V
【集電極電流（Ic）=-1 A】-0.08 V
特徵頻率（fT）：0.015 MHz
直流放大係數（hFE）：36~185
晶片材質：鍺
封裝：TO-66