晶体管元件查询
型号：2SB481
类型：PNP三极管
总耗散功率（Ptot）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】6 W
【环境温度（Ta）＝25 ℃】6 W
集电极电流（IC）：-1 A
集电极最大允许电流（ICM）：-3 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：-32 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：-32 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：-10 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：-1000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝-1 A】-0.08 V
【集电极电流（Ic）＝-1 A】-0.08 V
特征频率（fT）：0.015 MHz
直流放大系数（hFE）：36~185
芯片材质：锗
封装：TO-66