晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：2N649
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集電極電流（IC）：0.05 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：20 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：18 V
發射極與基極最高耐壓（VEBO）：2 V
特徵頻率（fT）：12 MHz
直流放大係數（hFE）：50~150
晶片材質：鍺
封裝：TO-1

更多NPN三極體2SC2882SC17193DG203C3DG203B3DG102D3DG103A3DG202A3DG203A3DK3B3DG103C2N6473DG2043DG102A3DG11BASY62

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