トランジスタ素子クエリ
部品番号：2N649
種類：NPNバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.1 W
コレクタ電流（IC）：0.05 A
コレクタ・ベース間電圧（VCBO）：20 V
コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO）：18 V
エミッタ・ベース間電圧（VEBO）：2 V
トランジション周波数（fT）：12 MHz
直流電流増幅率（hFE）：50~150
チップ材料：ゲルマニウム
外形：TO-1
その他のNPNバイポーラートランジスター2SC4033DG103A3DG203C3DK3A3DG100C3DG91A3DG104C3DG146A3DG19BASY723DG103C3DG11B3DG56A3DG104D3DG141C