2N2000參數_晶體管元件查詢

晶體管元件查詢

輸入型號查參數輸入參數查型號

型號：2N2000
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極電流（IC）：-1 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：-50 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：-20 V
發射極與基極最高耐壓（VEBO）：-20 V
直流放大係數（hFE）：50~300
晶片材質：鍺
封裝：TO-5
更多PNP三極體3CG4DBC308PCL3CK2BBC212BP3AK333CG111C3AK37D2SA1175H3CX201ABC214BP2SA12992N11432N11243CX201B3CG74D