2N2000参数_晶体管元件查询

晶体管元件查询

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型号：2N2000
类型：PNP三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极电流（IC）：-1 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：-50 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：-20 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：-20 V
直流放大系数（hFE）：50~300
芯片材质：锗
封装：TO-5
更多PNP三极管2SA1390BC308PCM3AK37A3CG21D3CG21ESCA932SA1309A2N21002N727BC214CP3KZ141ACX954BC308PCL3CK2B2SA1299