トランジスタ素子クエリ
部品番号：VBGT25N135
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】250 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】25 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】25 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1350 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝25 A】2.1 V
【コレクタ電流（Ic）＝25 A】2.1 V
外形：TO-3P
その他のディスクリートIGBTIHW20N135R5(H20PR5)IRG4PC40F1MBH65-090IGZ50N65H5(G50EH5)GT35J321FGA20S140PKGT15N120NDHIGZ100N65H5(G100EH5)GT40RR23IKP10N60T(K10T60)IKW40N120T2(K40T1202)NGTB75N65FL2WGGT30F132WXDHG40N60D60N60FD1