トランジスタ素子クエリ
電圧 V　 電流 A
部品番号：NGTB75N65FL2WG
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】595 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】75 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：650 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝75 A】2 V
外形：TO-247

その他のディスクリートIGBTIRG4PC50FDIGP30N60T(G30T60)MGD622AOK75B60D1GT50J322IKW75N60H3(K75H603)IXBT20N300NGTB30N60FWGSTGW30NC60WDNGTB50N120FL2WGFGW50N60VD(50G60VD)RJP30H2DPK-M0FGW25N120VD(25G120VD)TSG60N100CESTGWT80H65DFB

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