トランジスタ素子クエリ
部品番号：STGWT80H65DFB
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】470 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】470 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】80 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】80 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：650 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝80 A】2 V
【コレクタ電流（Ic）＝80 A】2 V
外形：TO-3P
その他のディスクリートIGBTGT5G102IKW30N60H3(K30H603)IGZ50N65H5(G50EH5)BT25T120STGWT60H65DFBIKW50N60T(K50T60)GT15G101IKZ75N65EH5(K75EEH5)IRG4PH50UDPbFLKB40N120TM2IXGH25N100ASTGFW40V60DFGT5G103STGW30NC120HD1MBH25D-120