トランジスタ素子クエリ
部品番号：TGAN40N120FDR
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】200 W
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】200 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】40 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】40 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1200 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝40 A】2.5 V
【コレクタ電流（Ic）＝40 A】2.5 V
外形：TO-3P
その他のディスクリートIGBTSTGFW30H65FB(G30H65FB)IGW30N60T(G30T60)FGH20N60UFDIGZ100N65H5(G100EH5)FGA40N60UFD(G40N60UFD)IKW25N120T2(K25T1202)CRG15T60A83LIKW40N65H5(K40EH5)CRG15T60A84SMBQ40T120FESTHGT8G103CRG15T60A93LGT40RR23IGW15T120(G15T120)FGH40T120