トランジスタ素子クエリ
部品番号：STGW80H65DFB
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】470 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】470 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】80 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】80 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：650 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝80 A】2 V
【コレクタ電流（Ic）＝80 A】2 V
外形：TO-247
その他のディスクリートIGBTGP19NC60KDH20T120FGW40N120VD(40G120VD)IHW20N120R3SGT50T65FD1PNTSG40N120CE1MBH20D-06075G60HD1MBH75D-060SGT30F124KGT15N120NDHFGL60N100BNTDIXGH40N60IKW25T120IGW30N100T(G30T100)