トランジスタ素子クエリ
部品番号：SGT50T65FD1PN
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】235 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】235 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】50 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】50 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：650 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝50 A】2.6 V
【コレクタ電流（Ic）＝50 A】2.6 V
外形：TO-3P
その他のディスクリートIGBTGT20D101GT30J122ANGTB75N65FL2WGIHW40N135R5(H40PR5)GT60J323FGW50N60VD(50G60VD)FGH60N60SMDNGTB15N120IHLWGSGA40T120UFDIKY75N120CH3(K75MCH3)STGW30NC120HD60N60GT50G321GT40RR21STGWA60H65DFB(G60H65DFB)