トランジスタ素子クエリ
部品番号：JNG75T120LS
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】250 W
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】250 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】75 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】75 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1200 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝75 A】2.5 V
【コレクタ電流（Ic）＝75 A】2.5 V
外形：TO-264
その他のディスクリートIGBTIHW30N120R5(H30MR5)SGT40N60NPFDSGP15N60(G15N60)STGWT40HP65FBFGH60T65SHDIHW30N160R2(H30R1602)NGTB45N60S1WGSGT50T65FD1PNH30R1353GT30F132IHW15N120R3(H15R1203)GT40M301IGB01N120H2(G01H1202)AOK30B135W1RJH1BF7RDPQ-80