トランジスタ素子クエリ
部品番号：G25N120
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】192 W
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】192 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】25 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】25 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1200 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝25 A】2.4 V
【コレクタ電流（Ic）＝25 A】2.4 V
外形：TO-247
その他のディスクリートIGBTGT30F132FGA90N33ATGT40M101STGWT80H65DFBSGL50T120SFDGT5G10340N120IKW40N120T2(K40T1202)ERD60-100NGTB50N120FL2WGFGH60T65SHDSTGW38IH120DCRG15T120BK3SDRJP6065DPMIKY40N120CH3(K40MCH3)