トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG111C
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.05 A
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：-45 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-0.1 μA
エミッターしゃ断電流（IEBO）：-0.1 μA
トランジション周波数（fT）：200 MHz
直流電流増幅率（hFE）：25~270
チップ材料：シリコン
その他のPNPバイポーラートランジスター2SA1390SCA953CG15A2N11243AG87C2N4209BC308PAL2N3312SA550SCA92BC212BP3CK2A3CX201A3AK333AK37D