晶体管元件查询
型号：3CG111C
类型：PNP三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：-0.05 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：-45 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：-4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：-0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：-0.1 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：-0.1 μA
特征频率（fT）：200 MHz
直流放大系数（hFE）：25~270
芯片材质：硅
更多PNP三极管CX9542N670BC214CPJAN2N11422N7279012LT1(2T1)3CG74A3CG4D3CK2BBC213CP3AK37A3CG2B2N3638A3CG21C3KZ141B