トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG110B
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.05 A
コレクタ・ベース間降伏電圧（BVCBO）：-30 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-0.1 μA
トランジション周波数（fT）：100 MHz
直流電流増幅率（hFE）：≥25
チップ材料：シリコン
その他のPNPバイポーラートランジスター3CG111C2N36383CX201DBC307PAL3CG21F3CG74A2SA1309A3AK33H3CX201A3AK33BC213BP3KZ1303CK2ABC179PCL3CK2B