晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：STP12NM50N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.38 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管H7N1005LMAOD478HM3N25IMT3205LNN06R140SFP65N06IPP075N15N3GBUZ50AHM2302A2N3824SVD5N60DG10N60MGF1414TK10A60DIRFZ44A

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