晶体管元件查询
型号：DG10N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：178 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管OR01H12HAT2217CWMN14N65C22SK758LSG65R930GTH7N0308LDLSGN085R065W307N03LFMH19N60EKP8N65D10N65ASFTK65T360P(NCE65T360)2SK719FHX05FA/LGLSC65R180GF