晶体管元件查询
型号:SPP12N50C3
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】125 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】125 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】11.6 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】11.6 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.38 Ω
封装:TO-220

更多N沟道场效应管NCEP15T14TIPP60R360P7SVF7N65CTFTA04N65C80NF70NCE7580HYG055N08NS1PHY029N10PP20N60DHE3205PFLL200IB-12SK570S2SK82BUK456/60ANDP6030