晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HYG055N08NS1P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】187.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0068 Ω
封装：TO-220AB

更多N沟道场效应管2SK3476IRFI530SGB660N70W3UV3710R110N06MTH8N90SUP85N03-07PLND13N50FLM4450-4B/DIRFP244DHE90N035RIRFZ48NPbFLNG10R180FQAF34N20LIRFS822

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者